| 型号 | J112RL1G |
| 厂家 | ON Semiconductor |
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J112RL1G中文资料描述：
TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：5mA@15V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：35V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
电阻-RDS（开）：50欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3
功率-最大值：350mW
TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：5mA@15V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：35V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
电阻-RDS（开）：50欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3
功率-最大值：350mW
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