| 型号 | S1J-E3/61T |
| 厂家 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| PDF下载地址 |
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S1J-E3/61T中文资料描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
类别：分立半导体产品-单二极管/整流器
产品目录绘图： SMATop SMASide
标准包装：1,800
系列：-
包装：带卷(TR)
二极管类型：标准
电压-DC反向(Vr)（最大值）：600V
电流-平均整流(Io)：1A
不同If时的电压-正向(Vf)：1.1V@1A
速度：标准恢复>500ns，>200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：1.8µs
不同?Vr时的电流-反向漏电流：1µA@600V
不同?Vr、F时的电容：12pF@4V，1MHz
安装类型：表面贴装
封装：DO-214AC，SMA
供应商器件封装：DO-214AC（SMA）
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
类别：分立半导体产品-单二极管/整流器
产品目录绘图： SMATop SMASide
标准包装：1,800
系列：-
包装：带卷(TR)
二极管类型：标准
电压-DC反向(Vr)（最大值）：600V
电流-平均整流(Io)：1A
不同If时的电压-正向(Vf)：1.1V@1A
速度：标准恢复>500ns，>200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：1.8µs
不同?Vr时的电流-反向漏电流：1µA@600V
不同?Vr、F时的电容：12pF@4V，1MHz
安装类型：表面贴装
封装：DO-214AC，SMA
供应商器件封装：DO-214AC（SMA）
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