【供应】2N5639G
- 产品型号：2N5639G
- 生产厂家： ON Semiconductor
- 产品规格：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
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详细信息
产品变化通告：
Product Discontinuation 21/Jun/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：25mA @ 20V
漏源极电压 (Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 12V（VGS）
电阻 - RDS（开）：60 欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：310mW
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：25mA @ 20V
漏源极电压 (Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 12V（VGS）
电阻 - RDS（开）：60 欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：310mW
