【供应】PMBFJ112,215
- 产品型号：PMBFJ112,215
- 生产厂家： NXP Semiconductors
- 产品规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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美元参考价格
-
3000pcs： $0.15500/pcs
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6000pcs： $0.14500/pcs
15000pcs： $0.13500/pcs
30000pcs： $0.12800/pcs
75000pcs： $0.12500/pcs
150000pcs： $0.12000/pcs
详细信息
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：40V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB
功率 - 最大值：300mW
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：40V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB
功率 - 最大值：300mW
