19MT050XF参数：HEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP
类别：半导体模块-FET标准包装：15系列：HEXFET®包装：散装FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：31A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：220 毫欧 @ 19A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7210pF @ 25V功率 - 最大值：1140W安装类型：底座安装封装：16-MTP供应商器件封装：16-MTP
