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1N5230BUR

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相关型号： 1N5230B-TR 1N5230BTR 1N5230B-TP 1N5230B-T 1N5230BDO35 1N5230B_T50R

1N5230B
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1N5230B参数：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：4.7V
容差：±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：2µA @ 1V
功率 - 最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：19 欧姆
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA
安装类型：通孔
封装：DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：DO-35
工作温度：-65°C ~ 200°C

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