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1N5259B-T

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相关型号： 1N5259B_T50R 1N5259B_T50A 1N5259B 1N5259A (DO-35) 1N5258B-TP 1N5258B-T

1N5259B-T
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1N5259B-T参数：DIODE ZENER 39V 500MW DO35

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：39V
容差：±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 30V
功率 - 最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：80 欧姆
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.1V @ 200mA
安装类型：通孔
封装：DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：DO-35
工作温度：-65°C ~ 200°C

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