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1N6000C

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相关型号： 1N6000B_T50R 1N6000B_T50A 1N6000B 1N5999B_T50R 1N5999B_T50A 1N5999B

1N6000B
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1N6000B参数：DIODE ZENER 10V 500MW DO35

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
PCNDesign/Specification： DieDimension02/Nov/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
电压-齐纳（标称值）(Vz)：10V
容差：±5%
不同?Vr时的电流-反向漏电流：100nA@8V
功率-最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：15欧姆
不同If时的电压-正向(Vf)：1.2V@200mA
安装类型：通孔
封装：DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：DO-35
工作温度：-65°C~200°C

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