1N6012B-TP参数：DIODE ZENER 33V 500MW DO35
类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：33V容差：±5%不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 25V功率 - 最大值：500mW阻抗（最大值）(Zzt)：88 欧姆不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.5V @ 100mA安装类型：通孔封装：DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装：DO-35工作温度：-65°C ~ 200°C
