2N5460参数：IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：2,000系列：-包装：散装不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：1mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：P 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：750mV @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7pF @ 15V电阻 - RDS（开）：-安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商器件封装：TO-92-3功率 - 最大值：350mW
