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2N5639

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2N5639
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2N5639参数：IC SWITCH N-CHAN 30V 50MA TO-92

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：2,000
系列：-
包装：散装
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：25mA@20V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：30V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：10pF@12V（VGS）
电阻-RDS（开）：60欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率-最大值：350mW

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