2N7002-7-F参数：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： SOT-23PackageTop SOT-23PackageSide1 SOT-23PackageSide2PCNDesign/Specification： BondWire22/Sept/2008 GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5欧姆@50mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3