2N736

2N7000
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2N7000参数：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,000
系列：-
包装：散装
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：400mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体
供应商器件封装：TO-92-3