2N7000参数：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,000系列：-包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：400mW安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体供应商器件封装：TO-92-3
