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2SC591

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2SC5915-DL-E 优势库存
SANYO
SOT-263
2023+
78356
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2SC5916TLQ
Rohm Semicondu..
TSMT3
2023+
500
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2SC5916TLR
Rohm Semicondu..
-
2023+
520
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2SC5918
ROHM
SOT-89
2023+
1528
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2SC5915
TO-263
2023+
32557
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2SC5916
ROHM
TSMT3
2023+
10278
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2SC5916TLR
RohmSemiconduc..
TSMT3
2023+
6350
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2SC5916TLQ
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TSMT3
2023+
9350
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2SC5916TLQ
RohmSemiconduc..
TSMT3
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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2SC5916TLR
RohmSemiconduc..
TSMT3
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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2SC5915-DL
SANYO
SOT-263
2023+
75000
品质保证,价格优惠
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2SC5914
Panasonic
TO3PF
2023+
8600
品质保证,价格优惠
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2SC5914
panasonic
TO-3P
2023+
2596
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2SC591
HITACHI
SC59A
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10467
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2SC5917
ROHM
TSMT3
2023+
10278
工厂配单，价格优势
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2SC5915-DL-E
SANYO
TO-263
2023+
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工厂配单，价格优势
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2SC5913
2023+
4557
工厂配单，价格优势
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2SC5912
Pan
TO-3PF
2023+
2278
工厂配单，价格优势
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2SC5916TLR
ROHM
SOT23-3
2023+
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2SC5916TLQ
ROHM
SOT23-3
2023+
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2SC5916
ROHM
SOT-23
2023+
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相关型号： 2SC5888 2SC5880TV2R 2SC5880TV2Q 2SC5876T106R 2SC5876T106Q 2SC5868TLR

2SC5916TLQ
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2SC5916TLQ参数：TRANS NPN 30V 2A TSMT3 'Q'

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品目录绘图： TSMT-3PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@100mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：120@100mA，2V
功率-最大值：500mW
频率-跃迁：250MHz
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TSMT3

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