2SD2012(F,M)参数：TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220NIS
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路标准包装：500系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A电压 - 集射极击穿（最大值）：60V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1V @ 200mA，2A电流 - 集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 500mA，5V功率 - 最大值：2W频率 - 跃迁：3MHz安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220NIS
