2SJ200-Y(F)参数：MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：180V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 30V功率 - 最大值：120W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P（N）
NECSOT-232023+2800品质保证，全新进口原装
