2SJ349(F,T)参数：MOSFET P-CH 60V 20A TO220NIS
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 10V功率 - 最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220NIS
