2SJ352-E参数：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 10V功率 - 最大值：100W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P
NECSOT-892023+3204原装现货，价格优势
