2SJ358

2SJ352-E
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2SJ352-E参数：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 10V
功率 - 最大值：100W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P