2SJ516(F)参数：MOSFET P-CH 250V 6.5A T-220NIS
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：250V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1120pF @ 10V功率 - 最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220NIS
TOSTO-2202023+397全新进口原装现货，即时发货
