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2SJ602

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2SJ602-Z-E1 优势库存
NEC
TO-263
2023+
3200
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2SJ602 优势库存
FUJI
2023+
1080
原装现货质量保证
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2SJ602-ZJ
NEC
TO-263
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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2SJ602
NEC
TO-263
2023+
13557
全新进口原装现货,特价热卖
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2SJ602-ZJ-T1-A
NEC
SOT-263
2023+
3278
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2SJ602-S
SOT-252
2023+
31278
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2SJ602-Z
NEC
TO-263
2023+
6078
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2SJ602-Z
NEC
TO-263
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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2SJ602-S
NEC
TO-262
2023+
42880
品质保证,价格优惠
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TO-263
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2SJ602-ZJ
NEC
TO-263
2023+
10000
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2SJ602-Z-E1
NEC
TO-263
2023+
2596
工厂配单，价格优势
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2SJ602-Z-E1
NEC
252
2023+
6000
原装现货
2SJ602
TO-252
2023+
13520
原装现货
相关型号： 2SJ567(TE16L1,NQ) 2SJ516(F) 2SJ464(F) 2SJ412(TE24L,Q) 2SJ412(SM,Q) 2SJ412(Q)

2SJ610(TE16L1,NQ)
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2SJ610(TE16L1,NQ)参数：MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.55 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：381pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PW-MOLD

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