2SJ648

2SJ649-AZ
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2SJ649-AZ参数：MOSFET P-CH -60V -20A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 隔离片
供应商器件封装：TO-220 隔离的标片