2SJ683-TL-E参数：MOSFET P-CH 60V 65A ZP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： ZPPackageP-Channel&N-ChannelTop标准包装：1,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：65A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.5毫欧@33A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：290nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：15500pF@20V功率-最大值：50W安装类型：表面贴装封装：3-SMD，扁平引线供应商器件封装：ZP
