2SK1365参数：MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V功率 - 最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P（N）IS
