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2SK2254

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2SK2254-01-TE 优势库存
FUJI
TO-252
2023+
783
原装现货，价格优势
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2SK2254-01S-TE24R 优势库存
FUJI
TO-263
2023+
6356
原装现货，价格优势
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2SK2254-01S
FUJI
TO-263
2023+
39357
原装现货,特价
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2SK2254
FUJI
TO-363
2023+
2596
特价现货部分可售样片
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2SK2254-01-TE
FUJI
TO-252
2023+
200
品质保证,价格优惠
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2SK2254-01S-TE24R
FUJI
TO-263
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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2SK2254-01S
FUJI
TO-263
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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2SK2254
FUJ
220
2023+
1800
品质保证,价格优惠
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2SK2254-01LS
TO-262/263
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
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2SK2254-01S-TE24R
TO-263
2023+
2778
工厂配单，价格优势
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2SK2254-01L
FUJI
2023+
6278
工厂配单，价格优势
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2SK2254
N/A
TO-263
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK2233(F) 2SK2233 2SK2232(T) 2SK2232(F,T) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2231(TE16R)

2SK2201(TE16L1,NQ)
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2SK2201(TE16L1,NQ)参数：MOSFET N-CH 100V 3A PW-MOLD

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PW-MOLD

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