2SK2887TL参数：MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： CPT-3,D-PAKSeries特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：900毫欧@1.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：230pF@10V功率-最大值：20W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：CPT3
