2SK3479-Z

2SK3479-Z-E1-AZ
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2SK3479-Z-E1-AZ参数：MOSFET 100V N-CH TO-263

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：83A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：210nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11000pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263，TO-220SMD