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2SK880

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2SK880-BL(TE85LF)
ToshibaSemicon..
JFETN-CH50V1..
2023+
24000
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2SK880GRTE85LF
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JFETN-CH50V1..
2023+
84000
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JFETN-CH50V1..
2023+
12000
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2SK880
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SOT-323
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35557
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2SK880-BL(TE85L,F)
Toshiba Semico..
SC-70
2023+
16124
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2SK880/XY
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2SK880
TOSHIBA
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33000
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2SK880-G/XG
TOSHIBA
SOT-323
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27000
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2SK880-GR/XG
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SOT-323
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2SK880-Y(TE85L,F)
Toshiba Semico..
USM
2023+
43454
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2SK880-Y
TOSHIBA
SOT-323
2023+
9000
品质保证,价格优惠
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2SK880GRTE85LF
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SC-70
2023+
4746
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2SK880-Y/XY
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10278
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2SK880-GR/XG
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2023+
5557
质量保证即时发货
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2SK880/XG
TOSHIBA
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31278
全新进口原装现货,保证质量
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2SK880-G/XG
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工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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2SK880/XY
TOSHIBA
SOT-323
2023+
35557
工厂配单，价格优势
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电话：18922857317
联系人：销售部
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2SK880GR
TOS
SOT323
2023+
20957
工厂配单，价格优势
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2SK880-GR
SOT323
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9860
一级代理/全新现货/长期供..
2SK880-Y(TE85LF)
Toshiba
2023+
30,000
全新原装，香港现货
2SK880-GR(TE85LF)
Toshiba
2023+
3,000
全新原装，香港现货
相关型号： 2SK772E-AC 2SK771-5-TB-E 2SK715W-AC 2SK715W 2SK715V-AC 2SK715V

2SK01980RL
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2SK01980RL参数：JFET N-CH 30V 20MA MINI-3

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品目录绘图： MiniPkg3-pin
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：500µA@10V
漏源极电压(Vdss)：30V
漏极电流(Id)-最大值：20mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：100mV@10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14pF@10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1
功率-最大值：150mW

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