5LN01SP-AC参数:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):50V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 欧姆 @ 50mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.57nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6.6pF @ 10V功率 - 最大值:250mW安装类型:通孔封装:3-SIP供应商器件封装:3-SPA