ALD1105PBL参数：COMPLEMENTARY MOSFET 2N-CH/2P-CH
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：25系列：-包装：管件FET 类型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：10.6V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3mA， 1.3mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安装类型：通孔封装：14-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装：14-PDIP
