ALD110904SAL参数：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：50系列：Nano Power™ EPAD®包装：管件FET 类型：2 N 沟道（双）配对FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：10.6V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12mA， 3mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 4.4V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：420mV @ 1µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2.5pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC
