AO3409参数：MOSFET P-CH -30V -2.6A SOT23
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： AO34xxSeriesSOT-23Top AO34xxSeriesSOT-23End AO34xxSeriesSOT-23Side标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@2.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：370pF@15V功率-最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3
