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AO4435L

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AO4435
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AO4435参数：MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@11A，20V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@15V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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