AO4612参数：MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A，3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：56毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：540pF@30V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOIC
