AO4614B

AO4614B
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AO4614B参数：MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A，5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 20V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC