AO4726参数：MOS N CH 30V 20A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices12/Jan/2013标准包装：3,000系列：SRFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，肖特基，金属氧化物!FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：73nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3800pF@15V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOIC
