AO4800B参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@6.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@15V功率-最大值：1.9W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOIC
