AO6409参数：MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： AO6xxxSeries6-TSOPTop AO6xxxSeries6-TSOPEnd AO6xxxSeries6-TSOPSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1450pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP