AOD442参数：MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： AOD4xxSeriesTO-252(D-PAK)Top AOD4xxSeriesTO-252(D-PAK)Side标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：37A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：68nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2300pF@30V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
