AON2705参数：MOSFET P-CH -30V -3A DFN2X2
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 沟道肖特基，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：108 毫欧 @ 3A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 15V功率 - 最大值：1.45W安装类型：表面贴装封装：6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN-EP（2x2）
