AON4703参数：MOSFET P-CH -20V -3.4A 8-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： AON3xxxSeries8-DFNTop AON3xxxSeries8-DFNSide AON3xxxSeries8-DFNEnd标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.1nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：540pF@10V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-DFN（3x2）