AON6444参数：MOSFET N-CH 60V 5X6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：SDMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：81A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：96nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5800pF @ 30V功率 - 最大值：83W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
