AON6482参数：MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：28A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：37 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 50V功率 - 最大值：75W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）