AON6512参数：MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：150A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3430pF @ 15V功率 - 最大值：7.4W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
