AON6884参数：MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.3 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1950pF @ 20V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
