AON6912

AON6912A
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AON6912A参数：MOSF 2N-CH 30V 10A/13.8A DFN5X6B

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A，13.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：910pF @ 15V
功率 - 最大值：1.9W, 2.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）