AON6922参数：MOSFET 2N-CH 25V 71/85A DFN5X6A
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A，31A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2340pF @ 12.5V功率 - 最大值：2W，2.2W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
