AON6970

AON6970
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AON6970参数：MOSFET 2N-CH 30V 24/42A 8DFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：24A， 42A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1171pF @ 15V
功率 - 最大值：5W， 4.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）