AON7900参数：MOSFET 2N-CH 30V 24A/40A DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列特色产品： AON7900MOSFET标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A，40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：710pF@15V功率-最大值：17W，50W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
